Memoria DDR4 SODIMM 4GB Kingston 2666MHz

- Factor Forma SODIMM
- Tipo DDR4
- Velocidad 2666MHz
- Capacidad 4GB
- 260-pin
- Voltaje 1.2v
- Latencia CAS CL19

KVR26S19S6/4

Garantía: 24 meses

225.00 192.00 192.0 QTQ

225.00

Opción no disponible

    Esta combinación no existe.

    Añadir al Carrito

    En 1987, Kingston® entra al mercado con un único producto. Kingston Technology ha logrado establecer en forma continua, los estándares de calidad y confiabilidad del sector.

    Producto Nuevo, Original y con Garantía 
    Envío gratuito dentro de la capital
    Compre ahora! 

    Compartir :

    Memoria DDR4 SODIMM 4GB Kingston 2666 Mhz

    Clarico-Image-Text                       

    descripción


    Kingston ofrece una memoria de escritorio extremadamente confiable y de alto rendimiento y vende más memoria de actualización para laptop que nadie en el mundo.

    Agregue su memoria Kingston confiable y observe cómo su productividad se dispara. Las páginas se cargarán más rápido y el lanzamiento de nuevas aplicaciones será más fácil y rápido.

    Si su sistema está retrasado, o un programa no responde o no se carga, es posible que tenga una falta de memoria. Es posible que vea signos sutiles, como un bajo rendimiento en las tareas cotidianas, o puede estar recibiendo mensajes de "falta de memoria".

    Los fabricantes de computadoras portátiles y PC a menudo incluyen módulos de memoria estándar de baja capacidad para reducir los costos, lo que significa que incluso las computadoras nuevas pueden necesitar actualizaciones de memoria desde el principio. Dos opciones: quitar y reemplazar estos módulos existentes de menor capacidad, o llenar ranuras de memoria desocupadas.

    Especificaciones:

    CL(IDD) / 19 Ciclos
    Tiempo de ciclo en fila45.75 ns (min)
    Actualizar a activo / Actualizar
    Tiempo de comando (tRFCmin)
    350ns(min)
    Tiempo activo de fila (tRASmin)
    32ns(min)
    Potencia máxima de funcionamientoTBD W*
    Rating UL94 V - 0
    Temperatura de operación0 °C a 85°C
    Temperatura de almacenamiento-55°C a 100°C
    Poder1.2V
    VPP2.5V
    VDDSPD2.2V a 3.6V